机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的双δ掺杂伪晶型高电子迁移率晶体管的迁移率和电荷密度调整
机译:Si掺杂Al0.24Ga0.76As / In0.2Ga0.8As / GaAs伪晶高电子迁移率晶体管结构中界面效应的光反射特性研究
机译:退火对掺Si的Al0.24Ga0.76As / In0.15Ga0.85As / GaAs伪晶型高电子迁移率晶体管结构中光学性能的影响
机译:具有纳米级氧化GaAs栅极的增强模式伪晶高电子迁移率晶体管
机译:分子束外延生长对金属极性III族氮化物高电子迁移率晶体管结构的优化生长。
机译:GaN / GaAlN高电子迁移率晶体管异质结构中各向异性2D电子气的k空间成像
机译:掺δ伪拟高电子迁移率晶体管结构的磁霍尔特性